￥57,000.00
￥1,500.00
￥7,000.00
￥0.00
6月13日，应国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室万玉喜主任、第四代半导体首席科学家/新加坡工程院院士张道华教授等专家邀请，奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人吴亮博士赴国家第三代半...
6月6日，杭州临平经济技术开发区党工委常务副书记，管委会主任卞吉坤、产业发展局局长陈莺、副局长李逸群等一行来访奥趋光电，开展调研和服务工作。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待...
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举...
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举...
近日，“智创芯港·引领未来”2025上海宽禁带与超宽禁带半导体产业创新发展推进会在临港新片区举办，上海市超宽禁带半导体未来产业集聚区启动建设。
6月13日，应国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室万玉喜主任、第四代半导体首席科学家/新加坡工程院院士张道华教授等专家邀请，奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人吴亮博士赴国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室开展访问交流与合作洽谈。
6月6日，杭州临平经济技术开发区党工委常务副书记，管委会主任卞吉坤、产业发展局局长陈莺、副局长李逸群等一行来访奥趋光电，开展调研和服务工作。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待。
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举行。北京大学沈波教授、山东大学陶绪堂教授、中国电子科技集团第十三研究所冯志红首席...
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举行，近400人国内外专业人员报名参会。北京大学沈波教授、山东大学陶绪堂教授、中国...
近日，“智创芯港·引领未来”2025上海宽禁带与超宽禁带半导体产业创新发展推进会在临港新片区举办，上海市超宽禁带半导体未来产业集聚区启动建设。
5月8日，杭州市临平区委常委、统战部部长，临平国家级经济技术开发区党工委书记计子法同志一行莅临云墨智谷园区及奥趋光电，进行走访服务和考察调研。杭州云墨智谷新材料科技发展有限公司/杭州超探新材料科技有限公司董事长汪训国、云墨智谷园区总经理王波，奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官...
本研究开发了一种可控碳掺杂的两步生长工艺，利用热壁金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，成功在AlN单晶衬底上实现了150 nm和50 nm厚GaN沟道层的完全融合生长。所制备的HEMT器件展现出国际领先的二维电子气（2DEG）迁移率：150 nm厚沟道器件的迁移率达1805 ...
AlN背势垒高电子迁移率晶体管（HEMTs）通过在AlN背势垒上生长超薄GaN沟道层，在高压、高频应用中展现出巨大潜力。然而，由于GaN与AlN之间存在晶格失配和热失配，需对薄GaN沟道层的生长模式进行精确调控。本研究采用低温（LT）和高温（HT）两步生长法调控GaN沟道层，通过...
本研究通过在硅掺杂氮化铝（Si:AlN）中引入点缺陷和扩展缺陷调控机制，有效抑制了载流子补偿效应，成功实现了300 cm²/(V·s)的高电子迁移率和26 Ω·cm的低电阻率。基于此掺杂技术，我们设计并制备了高性能氮化铝肖特基势垒二极管。
低温掺杂为调控氮化铝（AlN）导电性提供了一种极具潜力的解决方案。作为下一代光电子和电子器件的理想候选材料，AlN的高质量生长通常需要高温工艺，而金属有机化学气相沉积（MOCVD）是目前主流的生长方法。
美国HexaTech公司近日宣布推出了基于优化（加工）工艺的N-polar AlN单晶衬底。相较于常规的Al-polar AlN单晶衬底器件外延生长工艺，基于高质量N-polar 表面制备的器件可带来显著的性能提升，以满足市场对N-polar功率/射频器件开发日益增长的需求。该新...
半导体领域的三大领军机构——德国莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）、半导体设备制造商PVA TePla AG与全球半导体硅片巨头世创电子材料公司（Siltronic AG, FWB:WAF）近日宣布开展一项开创性合作项目，以整合各自在晶体生长领域的技术专长，致力于实现氮化铝（AlN...
.png)
